摘要:目的 联合磁共振质子波谱(1H-MRS)及T2 信号强度两种手段对首发精神分裂症患者前 额叶皮质进行研究,探讨其变化规律及潜在联系。方法 收集34 例首发未用药精神分裂症患者和健康 对照35 人。所有受试者分别行前额叶皮层的1H-MRS 及快速自旋回波T2 序列,分析精神分裂症患者前 额叶皮质的代谢指标及T2 信号强度的变化规律。并分析相关阳性指标与PANSS 评分之间的相关性。 结果 精神分裂症患者双侧额叶NAA/Cr 比值较对照组明显降低,差异有统计学意义(P< 0.05);两组间 双侧额叶Cho/Cr比值差异无统计学意义(P > 0.05)。精神分裂症患者双侧额叶上部磁共振T2 信号强度 较对照组明显增高,差异有统计学意义(t=2.07、2.18,P< 0.05);精神分裂症患者左、右侧额叶中部及额 叶下部磁共振T2 信号强度与对照组相比差异均无统计学意义(P>0.05)。精神分裂症患者左侧额叶上 部磁共振T2信号与PANSS阴性症状分数、PANSS总分呈正相关(r=0.57、0.49,P<0.05)。结论 1H-MRS 及T2信号强度联合分析,可为精神分裂症临床早期诊断提供新的思路,借此思路或可解释首发精神分裂 症患者前额叶皮质的神经元代谢异常及病理改变两者之间的潜在联系。